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BCR583

更新时间: 2024-09-26 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关数字晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

BCR583 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.55其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz

BCR583 数据手册

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BCR 583  
PNP Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Built in bias resistor (R =10k ,R =10k )  
1
2
Type  
Marking Ordering Code  
XMs Q62702-C2385  
Pin Configuration  
Package  
BCR 583  
1=B  
2=E  
3=C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
V
i(on)  
50  
V
50  
10  
50  
DC collector current  
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 79 °C  
P
330  
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction ambient  
R
R
325  
215  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-27-1996  

BCR583 替代型号

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