5秒后页面跳转
BCR583 PDF预览

BCR583

更新时间: 2024-11-24 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关数字晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

BCR583 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.55其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz

BCR583 数据手册

 浏览型号BCR583的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCR583的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BCR583的Datasheet PDF文件第4页 
BCR 583  
PNP Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Built in bias resistor (R =10k ,R =10k )  
1
2
Type  
Marking Ordering Code  
XMs Q62702-C2385  
Pin Configuration  
Package  
BCR 583  
1=B  
2=E  
3=C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
V
i(on)  
50  
V
50  
10  
50  
DC collector current  
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 79 °C  
P
330  
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction ambient  
R
R
325  
215  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-27-1996  

BCR583 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCR555 INFINEON

完全替代

PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir
DTB114EKT146 ROHM

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DTB123YKT146 ROHM

功能相似

PNP -500mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

与BCR583相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCR583_07 INFINEON

获取价格

PNP Silicon Digital Transistor
BCR583Q62702C2385 INFINEON

获取价格

TRANSISTOR DIGITAL SOT23
BCR5AM MITSUBISHI

获取价格

MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
BCR5AM POWEREX

获取价格

Triac 5 Amperes/400-600 Volts
BCR5AM APOLLOELECTRON

获取价格

Standard Triac
BCR5AM-12 POWEREX

获取价格

Triac 5 Amperes/400-600 Volts
BCR5AM-12 RENESAS

获取价格

TRIAC,600V V(DRM),5A I(T)RMS,TO-220AB
BCR5AM12L ETC

获取价格

TRIAC|600V V(DRM)|5A I(T)RMS|TO-220AB
BCR5AM-12L POWEREX

获取价格

Triac 5 Amperes/400-600 Volts
BCR5AM-12LA RENESAS

获取价格

Triac Medium Power Use