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BCR191T

更新时间: 2024-11-24 22:40:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 491K
描述
PNP Silicon Digital Transistor

BCR191T 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-75包装说明:SC-75, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

BCR191T 数据手册

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BCR191.../SEMB1  
PNP Silicon Digital Transistor  
Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Built in bias resistor (R = 22k, R = 22k)  
1
2
For 6-PIN packages: two (galvanic) internal  
isolated transistors with good matching  
in one package  
BCR191/F/L3  
BCR191T/W  
BCR191S  
SEMB1  
C
C1  
B2  
E2  
3
6
5
4
R2  
R1  
R1  
TR2  
TR1  
R1  
R2  
R2  
1
2
3
1
2
E1  
B1  
C2  
B
E
EHA07173  
EHA07183  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BCR191  
WOs  
WOs  
WO  
WOs  
WOs  
WOs  
WO  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
BCR191F  
BCR191L3  
BCR191S  
BCR191T  
BCR191W  
SEMB1  
-
-
-
-
-
-
SC75  
SOT323  
1=E1 2=B2 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666  
May-18-2004  
1

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