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BCR192E6327

更新时间： 2024-01-26 07:25:32

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	832K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCR192E6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1363
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

BCR192E6327 数据手册

BCR192...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 22kΩ , R = 47kΩ )

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR192/W

R₁

R₂

EHA07183

Type

BCR192

BCR192W

Marking

WPs

Pin Configuration

Package

SOT23

SOT323

1=B 2=E 3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

100

Total power dissipation-

tot

BCR192, T ≤ 102°C

200

250

BCR192W, T ≤ 124°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

150 ... -65

stg

2011-08-30

12 3 4 5 6 7 8

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BCR192E6327 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCR192E6433	INFINEON	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCR192F	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Digital Transistor
BCR192F-E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
BCR192F-E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
BCR192L3	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Digital Transistor
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