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BCR191F-E6433

更新时间： 2024-11-26 04:12:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	180K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon

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BCR191F-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	50
元件数量：	1	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BCR191F-E6433 数据手册

BCR191...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 22 kΩ , R = 22 kΩ )

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR191/F

BCR191W

R₁

R₂

EHA07183

Type

BCR191

BCR191F

BCR191W

Marking

Pin Configuration

Package

SOT23

TSFP-3

SOT323

WOs

1=B 2=E 3=C

¹Pb-containing package may be available upon special request

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

100

Total power dissipation-

tot

BCR191, T ≤ 102°C

200

250

BCR191F, T ≤ 128°C

BCR191W, T ≤ 124°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

2007-07-31

12 3 4 5 6 7...10

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