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BCR189L3E6327

更新时间： 2024-11-26 04:11:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	555K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon

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BCR189L3E6327 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	120
元件数量：	1	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON

BCR189L3E6327 数据手册

BCR189...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 22 kΩ)

BCR189F/L3

BCR189T

R₁

EHA07180

Type

Marking

W2s

Pin Configuration

Package

TSLP-3

TSLP-3-4

SC75

BCR189F

BCR189L3

BCR189T

1=B 2=E 3=C

W2s

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

100

Collector current

Total power dissipation

tot

BCR189F, T ≤ 128°C

250

BCR189L3, T ≤ 135°C

BCR189T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Mar-03-2005

12 3 4 5 6 7...10

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