BCR185T

更新时间： 2024-01-04 09:10:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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10页	499K
描述
PNP Silicon Digital Transistor

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BCR185T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.44
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCR185T 数据手册

BCR185.../SEMB9

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 10kΩ , R = 47kΩ )

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR185/F/L3

BCR185T/W

BCR185S/U

SEMB9

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07173

EHA07183

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BCR185

WNs

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

1=B 2=E 3=C SC75

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74

1=B 2=E 3=C SOT323

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

BCR185F

BCR185L3

BCR185S

BCR185T

BCR185U

BCR185W

SEMB9

Jun-14-2004

12 3 4 5 6 7...10

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