BCR183U

更新时间： 2024-01-16 21:00:50

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英飞凌 - INFINEON		晶体数字晶体管
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PNP Silicon Digital Transistor Array

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BCR183U 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR183U 数据手册

BCR183U

Collector-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain h = f (I )

= f (I ), h = 20

C FE

= 5V (common emitter configuration)

CEsat

10 ²

10 ³

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

10 ²

0.0

0.2

0.4

0.6

1.0

CEsat

Input on Voltage V

= f (I )

Input off voltage V

= f (I )

i(on)

i(off) C

= 0.3V (common emitter configuration)

= 5V (common emitter configuration)

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-2

0.0

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

10 ²

0.5

1.0

1.5

2.5

i(off)

i(on)

Dec-13-2001

1 234

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