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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCR183T
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BCR183T

更新时间： 2024-01-14 02:22:38
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 491K
描述
PNP Silicon Digital Transistor

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BCR183T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.42其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

BCR183T 数据手册

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BCR183...  
Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
min.  
typ. max.  
DC Characteristics  
Collector-emitter breakdown voltage  
50  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
CBO  
I = 100 µA, I = 0  
C
B
Collector-base breakdown voltage  
I = 10 µA, I = 0  
50  
-
C
E
Collector-base cutoff current  
= 40 V, I = 0  
I
I
100 nA  
0,75 mA  
V
CB  
E
-
Emitter-base cutoff current  
EBO  
V
= 10 V, I = 0  
EB  
C
1)  
30  
-
-
-
DC current gain  
h
FE  
I = 5 mA, V = 5 V  
Collector-emitter saturation voltage  
I = 10 mA, I = 0,5 mA  
C
CE  
1)  
V
V
V
0,3  
1,8  
2,5  
V
CEsat  
i(off)  
C
B
Input off voltage  
I = 100 µA, V = 5 V  
0,8  
1
C
CE  
Input on voltage  
I = 2 mA, V = 0,3 V  
i(on)  
C
CE  
Input resistor  
Resistor ratio  
R
R /R  
7
0,9  
10  
1
13  
1,1  
kΩ  
1
-
1
2
AC Characteristics  
Transition frequency  
-
-
200  
3
-
-
MHz  
pF  
f
T
I = 10 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
C
CE  
Collector-base capacitance  
= 10 V, f = 1 MHz  
C
cb  
V
CB  
1
Pulse test: t < 300µs; D < 2%  
Nov-17-2003  
3
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCR183TE6327 INFINEON

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BCR183T-E6433 INFINEON

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