BCR183U

更新时间： 2024-02-14 09:26:01

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PNP Silicon Digital Transistor Array

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BCR183U 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR183U 数据手册

BCR183U

PNP Silicon Digital Transistor Array

Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

Two ( galvanic) internal isolated Transistors

with good matching in one package

Built in bias resistor (R =10k , R =10k )

VPW09197

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07173

Type

BCR183U

Marking

WMs

Pin Configuration

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1

Package

SC74

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

100

250

150

°C

Total power dissipation, T = 118 °C

Junction temperature

tot

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

130

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Dec-13-2001

12 3 4

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