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BCR139

更新时间: 2024-02-05 13:48:45
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 186K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

BCR139 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-75包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

BCR139 数据手册

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BCR139...  
Total power dissipation P = ƒ(T )  
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Total power dissipation P = ƒ(T )  
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Sep-03-2003  
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