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BCP48 PDF预览

BCP48

更新时间： 2024-02-01 21:27:42
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 157K
描述
PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current High current gain)

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BCP48 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：VPS05163, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.5
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

BCP48 数据手册

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PNP Silicon Darlington Transistors  
BCP 28  
BCP 48  
● For general AF applications  
● High collector current  
● High current gain  
● Complementary types: BCP 29/49 (NPN)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
BCP 28  
BCP 48  
BCP 28  
BCP 48  
Q62702-C2134  
Q62702-C2135  
SOT-223  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
BCP 48  
BCP 28  
30  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
60  
80  
10  
V
V
40  
V
10  
I
I
I
I
C
500  
mA  
Peak collector current  
Base current  
CM  
800  
100  
200  
1.5  
B
Peak base current  
BM  
W
Total power dissipation, T  
S
=124 ˚C2)  
Ptot  
Junction temperature  
Tj  
150  
˚C  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
≤ 75  
≤ 17  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1
12345

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BCP48 替代型号

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