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BC876

更新时间： 2024-01-20 23:36:48

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
PNP Silicon Darlington Transistors (High current gain High collector current)

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BC876 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.8 V
Base Number Matches：	1

BC 876

… BC 880

DC current gain hFE = f (I

)

Transition frequency f

VCE = 5 V, f = 20 MHz

= f (I )

CE = 10 V, T = 25 ˚C

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

CEsat = f (I

)

BEsat = f (I )

Parameter = I

, TA

= 25 ˚C

Parameter = I

, T = 25 ˚C

Semiconductor Group

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC876-AMMO	NXP	TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma	获取价格
BC876-T/R	NXP	TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma	获取价格
BC877	INFINEON	NPN Silicon Darlington Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation vol	获取价格
BC877-AMMO	NXP	TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma	获取价格
BC877-T/R	NXP	TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma	获取价格
BC878	NXP	PNP Darlington transistor	获取价格