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BC876

更新时间： 2024-01-30 12:36:52

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
PNP Silicon Darlington Transistors (High current gain High collector current)

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技术参数
数据手册

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BC876 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.8 V
Base Number Matches：	1

BC876 数据手册

BC 876

… BC 880

Electrical Characteristics

at T = 25 ˚C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

DC characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

IC = 50 mA

(BR)CE0

(BR)CB0

(BR)EB0

BC 876

BC 878

BC 880

–

Collector-base breakdown voltage

= 100 µA

BC 876

BC 878

BC 880

100

–

Emitter-base breakdown voltage, I

= 100 µA

–

Collector cutoff current

ICE0

500

CE = 0.5 × VCEmax

Collector cutoff current

ICB0

CB = VCBmax

–

100

µA

CB = VCBmax, T

= 150 ˚C

Emitter cutoff current, VEB = 4 V

EB0

–

100

–

DC current gain

= 150 mA; VCE = 10 V¹⁾

= 500 mA; VCE = 10 V¹⁾

1000

2000

–

Collector-emitter saturation voltage¹⁾

CEsat

BEsat

–

1.3

1.8

= 500 mA, I

= 1000 mA, I

= 0.5 mA

= 1 mA

Base-emitter saturation voltage¹⁾

= 1000 mA; I = 1 mA

–

2.2

–

AC characteristics

Transition frequency

150

MHz

= 200 mA, VCE = 5 V, f = 20 MHz

Pulse test: t ≤ 300 µs, D ≤ 2 %.

Semiconductor Group

123 4

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