BC859CW

更新时间： 2024-01-16 02:09:12

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管放大器
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2页	125K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC859CW 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC859CW 数据手册

BC 856W ... BC 860W

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

SOT-323

±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 856W

BC 857W

BC 858W

BC 860W

BC 859W

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

65 V

80 V

45 V

50 V

5 V

30 V

200 mW ¹)

100 mA

200 mA

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_BM

I_EM

T_j

150

ꢀC

T_S

- 65…+ 150 C

ꢀ

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

ꢀ

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverstärkung h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 k

ꢁ

3.2...8.5 k

ꢁ

6...15 k

60 < 110

ꢁ

18 < 30

ꢀ

30 < 60

ꢀ

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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BC859CW 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC859CW,115	NXP	功能相似	BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin
BC859CW	NXP	功能相似	PNP general purpose transistors

与BC859CW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC859CW,115	NXP	获取价格	BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin
BC859CW,135	NXP	获取价格	BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin
BC859CW/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT-323
BC859CWE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC859CWE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC859CW-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC859CW-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC859C-Z4C	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC859E	SWST	获取价格	小信号晶体管
BC859G	TI	获取价格	30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

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