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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.09 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC859-TAPE-13 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC859-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC859TR | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC859TR13 | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC859W | DIOTEC | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC859W | SEMTECH | PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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