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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.09 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC859-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC859TR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC859TR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC859W | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC859W | SEMTECH |
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PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| BC859W | KEXIN |
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PNP General Purpose Transistor |
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| BC859W | TYSEMI |
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Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 45 V). Collector-base voltage VCBO -30 |
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| BC859W | PANJIT |
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PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| BC859W | NXP |
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PNP general purpose transistors |
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| BC859W | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistors |
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