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BC859W

更新时间： 2024-01-08 14:37:35

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管
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4页	86K
描述
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

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BC859W 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC859W 数据手册

BC856AW ~ BC859CW

PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

CURRENT

200 mWatts

30/45/65 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• General purpose amplifier applications

• PNP epitaxial silicon, planar design

• Collector current I_C= 100mA

0.087(2.20)

0.070(1.80)

• Complimentary (NPN) Devices:BC846W/BC847W/BC848W/

BC849W Series

0.054(1.35)

0.045(1.15)

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

0.006(0.15)

0.002(0.05)

0.056(1.40)

0.047(1.20)

MECHANICALDATA

• Case: SOT-323, Plastic

0.004(0.10)MAX.

0.044(1.10)

0.035(0.90)

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram

0.016(0.40)

0.008(0.20)

Device Marking:

BC856AW=56A BC857AW=57A BC858AW=58A

BC856BW=56B BC857BW=57B BC858BW=58B

BC859BW=59B

BC857CW=57C BC858CW=58C BC859CW=59C

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Symbol

V_CEO

Value

Units

BC856W

BC857W

BC858W, BC859W

-65

-45

-30

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

BC856W

BC857W

BC858W, BC859W

-80

-50

-30

V_CBO

BC856W

BC857W

6.0

V_EBO

BC858W, BC859W

-5.0

Collector Current - Continuous

Max Power Dissipation (Note 1)

Storage Temperature Range

Junction Temperature Range

I _C

P_TOT

T_STG

T_J

-100

200

^OC

-55 to 150

^OC

December 17,2010-REV.00

PAGE . 1

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与BC859W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC859W-B	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC859W-C	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC859WT/R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236VAR	获取价格
BC859W-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BC859W-TAPE-7	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BC85XX-7-F	DIODES	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格