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BC859W

更新时间： 2024-02-08 12:13:20

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	278K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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BC859W 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC859W 数据手册

BC856W…BC860W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for general purpose and switching applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

BC856W

BC857W

BC858W

BC859W

BC860W

Collector Emitter Voltage

BC856W

BC857W

BC858W

BC859W

BC860W

-V_CEO

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_EBO

-I_C

100

Peak Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

-I_CM

P_tot

T_j

100

200

150

T_S

- 55 to + 150

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 21/06/2006

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与BC859W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC859W-B	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC859W-C	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC859WT/R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236VAR	获取价格
BC859W-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BC859W-TAPE-7	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BC85XX-7-F	DIODES	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格