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BC858BW_05

更新时间： 2024-02-18 00:07:05
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 138K
描述
PNP General Purpose Transistor

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BC858BW_05 数据手册

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BC858BW / BC858B  
Transistors  
PNP General Purpose Transistor  
BC858BW / BC858B  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) BVCEO < -30V (I  
C=-1mA)  
BC858BW  
2) Complements the BC848B / BC848BW.  
2.0±0.2  
1.3±0.1  
0.9±0.1  
0.7±0.1  
0.65 0.65  
0.2  
(1) (2)  
00.1  
zPackage, marking and packaging specifications  
(3)  
Paet No.  
Pakaging type  
Marking  
BC858BW  
UMT3  
G3K  
BC858B  
SST3  
G3K  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
+0.1  
0
0.3  
ROHM : UMT3  
EIAJ : EC-70  
0.15±0.05  
-
All terminals have same dimensions  
T106  
T116  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
3000  
BC858B  
2.9±0.2  
+0.2  
−0.1  
0.45±0.1  
0.95  
1.9±0.2  
0.95 0.95  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(2)  
(1)  
0~0.1  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
0.2Min.  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
−30  
−30  
−5  
−0.1  
(3)  
V
+0.1  
−0.06  
V
0.15  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
+0.1  
−0.05  
0.4  
I
C
A
All terminals have same dimensions  
ROHM : SST3  
0.2  
Collector power dissipation  
P
C
W
∗
0.35  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
−65 to +150  
∗
When mounted on 7 × 5 × 0.6 mm ceramic board.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−30  
−30  
−5  
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
C
V
E
= −50µA  
−
V
V
CB= −30V  
nA  
µA  
V
−100  
4
Collector cutoff current  
ICBO  
−
−
−
−0.6  
210  
−
−
−
−
−
−
CB= −30V, Ta=150°C  
−0.3  
−0.65  
−0.75  
480  
−
I
I
C/I  
B
= −10mA/−0.5mA  
= −100mA/−5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
V
C/I  
B
V
V
V
CE/I  
C
= −5V/−10mA  
= −5V/−2mA  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
VBE(on)  
hFE  
−
MHz  
pF  
CE/I  
C
f
T
250  
4.5  
V
CE= −5V , I  
CB= −10V , I  
E=20mA , f=100MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
−
V
E
=0 , f=1MHz  
zElectrical characteristics curves  
0.7  
100  
10.0  
Ta=25˚C  
Ta=25˚C  
0.5  
50  
45  
0.6  
80  
8.0  
6.0  
40  
35  
0.4  
60  
30  
25  
0.3  
40  
4.0  
2.0  
0
20  
0.2  
15  
10  
5
20  
0.1  
IB=0mA  
1.0  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE : VCE  
1B=0µA  
0
0
2.0  
V)  
0
1.0  
2.0  
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE : VCE(V)  
Fig.1 Grounded emitter output  
characteristics ( I )  
Fig.2 Grounded emitter output  
characteristics ( II )  
Rev.A  
1/4  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858BW-7 DIODES

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BC858BWE6327 INFINEON

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