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BC858C

更新时间： 2024-01-28 00:51:16

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	243K
描述
Ideally suited for automatic insertion, For Switching and AF Amplifier Applications

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BC858C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858C 数据手册

SSMMDD TTyyppee

TransistIoCrs

Product specification

KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C

(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Ideally suited for automatic insertion

For Switching and AF Amplifier Applications

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

KC856

Symbol

VCBO

Rating

-80

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

KC857

KC858

KC856

KC857

KC858

-50

-30

-65

VCEO

-45

-30

Emitter-Base Voltage

VEBO

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.1

200

150

Storage Temperature

Tstg

-65 to +150

http://www.twtysemi.com

1 of 3

sales@twtysemi.com

4008-318-123

12 3

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与BC858C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858C/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858C/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858C-3L	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858C-7	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858C-7-F	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858-C-AE3-6-R	UTC	获取价格	Transistor
BC858-C-AE3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC858-C-AL3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
BC858C-AU	PANJIT	获取价格	SOT-23
BC858CD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon