BC858C

更新时间： 2024-02-28 10:09:40

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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2页	126K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC858C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858C 数据手册

BC 856 ... BC 860

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 856

65 V

80 V

BC 857/860 BC 858/859

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

45 V

50 V

30 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_BM

I_EM

T_j

200 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

T_S

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 ꢀA

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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BC858C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC859C	DIOTEC	完全替代	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC858C	INFINEON	类似代替	PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain
BC858CLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC858C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858C/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858C/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858C-3L	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858C-7	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858C-7-F	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858-C-AE3-6-R	UTC	获取价格	Transistor
BC858-C-AE3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC858-C-AL3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
BC858C-AU	PANJIT	获取价格	SOT-23
BC858CD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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