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BC858C

更新时间： 2024-02-07 15:01:00

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WEITRON		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	1006K
描述
PNP Dual General Purpose Transistors

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BC858C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858C 数据手册

BC856BDW Series

PNP Dual General Purpose Transistors

P b

Lead(Pb)-Free

PNP+PNP

SOT-363(SC-88)

Maximum Ratings

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

BC856

BC857

BC858

Unit

CEO

CBO

5.0

100

5.0

Emitter-Base Voltage

EBO

100

Collector Current-Continuous

100

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation Per Device

380

250

3.0

FR-5 Board(1)T = 25°C

mW/ °C

Derate Above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

328

+150

°C/W

°C

θJA

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to +150

°C

Note : FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 inch

Device Marking

BC856BDW=3B , BC857BDW=3F , BC857CDW=3G , BC858BDW=3K , BC858CDW=3L

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/6

14-Nov-07

12 3 4 5 6

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与BC858C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858C/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858C/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC858C-3L	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858C-7	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858C-7-F	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858-C-AE3-6-R	UTC	获取价格	Transistor
BC858-C-AE3-R	UTC	获取价格	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC858-C-AL3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
BC858C-AU	PANJIT	获取价格	SOT-23
BC858CD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon