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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857AW
BC857AW PDF预览

BC857AW

更新时间： 2024-11-30 08:49:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 402K
描述
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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BC857AW 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.07最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.275 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC857AW 数据手册

 浏览型号BC857AW的Datasheet PDF文件第2页 
BC856W SERIES  
BC857W SERIES  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856W and  
BC857W Series types are PNP Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
TM  
molded in a SUPERmini surface mount package,  
designed for general purpose switching and amplifier  
applications.  
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE  
ON FOLLOWING PAGE  
Note: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to  
the end of the Part # and Marking Code.  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
BC857W  
BC856W  
UNITS  
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
50  
45  
80  
65  
CBO  
CEO  
EBO  
C
CM  
5.0  
100  
200  
200  
275  
V
I
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
I
I
BM  
P
D
T , T  
-65 to +150  
455  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
15  
4.0  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V, T =150°C  
=5.0V  
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
ib  
ob  
T
CB  
CB  
EB  
A
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
V
I =10μA (BC857W)  
50  
80  
45  
65  
5.0  
C
I =10μA (BC856W)  
C
I =10mA (BC857W)  
C
I =10mA (BC856W)  
C
I =10μA  
E
I =10mA, I =0.5mA  
0.30  
0.65  
0.95  
0.75  
0.82  
12  
C
B
B
B
CE  
I =100mA, I =5.0mA  
C
I =100mA, I =5mA  
C
I =2.0mA, V =5.0V  
0.60  
100  
C
I =10mA, V =5.0V  
CE  
V
C
C
C
f
V
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
pF  
MHz  
EB  
CB  
CE  
CE  
C
E
V
V
V
5.0  
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
C
NF  
=5.0V, I =200μA,  
C
R =2.0KΩ, f=1.0KHz, BW=200Hz  
10  
dB  
S
BC856AW  
BC857AW  
MIN  
125  
MAX  
250  
h
V
=5.0V, I =2.0mA  
CE C  
FE  
R1 (20-November 2009)  
12

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BC857AW 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC857ALT1G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors PNP Silicon
BC857A-7-F DIODES

功能相似

 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23

与BC857AW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857AW,115 ETC

获取价格

 		TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
BC857AW,135 ETC

获取价格

 		TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
BC857AW/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC857AW-7 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857AW-7-F DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857AW-AU PANJIT

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 		SOT-323
BC857AWE6327 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857AWE6433 INFINEON

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 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
BC857AW-G COMCHIP

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 		Small Signal Transistor

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