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BC857AWT1 PDF预览

BC857AWT1

更新时间： 2024-01-23 05:34:34
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 215K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC857AWT1 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.54
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：125最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC857AWT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistors  
PNP Silicon  
BC856AWT1, BWT1  
BC857AWT1, BWT1  
BC858AWT1, BWT1  
These transistors are designed for general purpose  
amplifier applications. They are housed in the SOT–323/  
SC–70 which is designed for low power surface mount  
3
COLLECTOR  
applications.  
1
CWT1  
BASE  
2
EMITTER  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
BC856  
–65  
BC857  
BC858  
–30  
Unit  
2
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
–45  
–50  
V
CASE 419–02, STYLE 3  
–80  
–30  
V
V
SOT– 323 / SC-70  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
P D  
150  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
833  
°C/W  
°C  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
BC856AWT1 = 3A; BC856BWT1 = 3B; BC857AWT1 = 3E; BC857BWT1 = 3F;  
BC858AWT1 = 3J; BC858BWT1 = 3K; BC858CWT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = –10 mA)  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
– 65  
– 45  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 5.0  
– 5.0  
– 5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V (BR)CEO  
V (BR)CES  
V (BR)CBO  
v
v
v
v
—
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
—
(IC = –10 µA, VEB = 0)  
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage BC856 Series  
—
(IC = – 10 µA)  
BC857 Series  
BC858 Series  
BC856 Series  
BC857 Series,  
BC858 Series  
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
—
(IE = – 1.0 µA)  
V (BR)EBO  
—
—
Collector Cutoff Current (VCB = – 30 V)  
(VCB = – 30 V, TA = 150°C)  
– 15  
– 4.0  
nA  
I CBO  
—
µA  
1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in  
K5–1/5  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857AWT3 MOTOROLA

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