BC857AW-TP

更新时间： 2024-01-01 01:45:28

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
3页	194K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC857AW-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857AW-TP 数据手册

BC856A

THRU

BC858C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

PNP Small

Signal Transistor

310mW

ꢀ

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀ

Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

For Switching and AF Amplifier Applications

SOT-23

Mechanical Data

ꢀ Case: SOT-23, Molded Plastic

ꢀ Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

ꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ Weight: 0.008 grams ( approx.)

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

Type

Marking

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Charateristic

Symbol Value Unit

-80

-50

-30

-65

-45

-30

-5.0

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

V_CBO

.085

.37

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

Suggested Solder

Pad Layout

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

.031

.800

-100

-200

310

.035

.900

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation@T_s=50^oC(Note1)

I_CM

I_EM

P_d

.079

2.000

inches

Operating & Storage Temperature

T_j, T_STG-55~150 ^oC

.037

.950

Note: 1. Package mounted on ceramic substrate 0.7mm X 2.5cm²area.

2. Current gain subgroup “ C” is not available for BC856

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

中文翻译

下载PDF

与BC857AW-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857A-Z3E	ETC	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857B	SECOS	获取价格	BC856A
BC857B	INFINEON	获取价格	PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain
BC857B	GOOD-ARK	获取价格	暂无描述
BC857B	MCC	获取价格	PNP Small Signal Transistor 310mW
BC857B	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (PNP)
BC857B	TRSYS	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857B	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
BC857B	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857B	NEXPERIA	获取价格	65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction

与BC857AW-TP相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

7
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC857AW-TP

BC857AW-TP 技术参数

BC857AW-TP 数据手册

与BC857AW-TP相关器件

与BC857AW-TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC857AW-TP

BC857AW-TP 技术参数

BC857AW-TP 数据手册

与BC857AW-TP相关器件

与BC857AW-TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？