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BC857B

更新时间: 2024-12-01 11:11:27
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
13页 237K
描述
65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction

BC857B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.54
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):220
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
参考标准:IEC-60134表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC857B 数据手册

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BC856; BC857; BC858  
65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors  
Rev. 9 — 1 July 2022  
Product data sheet  
1. General description  
PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB), Surface-Mounted Device (SMD)  
plastic package.  
Table 1. Product overview  
Type number  
Package  
Nexperia  
SOT23  
NPN complement  
JEDEC  
BC856  
TO-236AB  
BC846  
BC856A  
BC856B  
BC857  
BC846A  
BC846B  
BC847  
BC857A  
BC857B  
BC857C  
BC858B  
BC847A  
BC847B  
BC847C  
BC848B  
2. Features and benefits  
Low current (max. 100 mA)  
Low voltage (max. 65 V)  
3. Applications  
General-purpose switching and amplification  
 
 
 

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