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BC857BDW1T1

更新时间： 2024-11-29 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 110K
描述
Dual General Purpose Transistors

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BC857BDW1T1 数据手册

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BC856BDW1T1,  
BC857BDW1T1 Series,  
BC858BDW1T1 Series  
Preferred Devices  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
PNP Duals  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
• Device Marking:  
Q
1
2
BC856BDW1T1 = 3B  
BC857BDW1T1 = 3F  
BC857CDW1T1 = 3G  
BC858BDW1T1 = 3K  
BC858CDW1T1 = 3L  
(4)  
(5)  
(6)  
DEVICE MARKING  
6
5
4
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC856 BC857 BC858 Unit  
1
2
3xm  
See Table  
3
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
V
V
−65  
−80  
−45  
−50  
−30  
−30  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
SOT−363/SC−88  
CASE 419B  
Style 1  
−5.0  
−100  
−5.0  
−100  
−5.0  
−100  
V
Collector Current −  
Continuous  
I
C
mAdc  
3x = Specific Device Code  
THERMAL CHARACTERISTICS  
x
= B, F, G, K, L  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
M = Date Code  
Total Device Dissipation  
Per Device  
FR−5 Board (Note 1)  
P
D
380  
250  
mW  
ORDERING INFORMATION  
T = 25°C  
Derate Above 25°C  
A
†
Device  
Package  
SOT−363  
SOT−363  
SOT−363  
SOT−363  
SOT−363  
Shipping  
3.0  
mW/°C  
°C/W  
BC856BDW1T1  
BC857BDW1T1  
BC857CDW1T1  
BC858BDW1T1  
BC858CDW1T1  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
328  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 3  
BC856BDW1T1/D  
 
123456

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BC857BDW1T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC857BDW1T1G ONSEMI

类似代替

 Dual General Purpose Transistors
BC857BS-7 DIODES

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA S
BC857BS-7-F DIODES

功能相似

 DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与BC857BDW1T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BDW1T1G ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
BC857BE6327 INFINEON

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