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BC857BL3E6327XTMA1

更新时间: 2024-02-24 08:31:13
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 862K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, TSLP-3-1, 3 PIN

BC857BL3E6327XTMA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:CHIP CARRIER, R-XBCC-N3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:10 weeks
风险等级:5.5其他特性:LOW NOISE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):220JESD-30 代码:R-XBCC-N3
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP表面贴装:YES
端子面层:Gold (Au)端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

BC857BL3E6327XTMA1 数据手册

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BC857...-BC860...  
PNP Silicon AF Transistor  
For AF input stages and driver applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Low noise between 30 hz and 15 kHz  
Complementary types:  
BC847...-BC850... (NPN)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
1)  
Qualified according AEC Q101  
1
BC857BL3 is not qualified according AEC Q101  
Type  
BC857A  
BC857B  
BC857BL3*  
BC857BW  
BC857C  
BC857CW  
BC858A  
Marking  
3Es  
3Fs  
3F  
3Fs  
3Gs  
3Gs  
3Js  
Pin Configuration  
Package  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
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SOT23  
SOT23  
TSLP-3-1  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT23  
SOT323  
SOT323  
BC858B  
3Ks  
3Ks  
3Ls  
BC858BW  
BC858C  
BC858CW  
BC859C  
BC860B  
3Ls  
4Cs  
4Fs  
4Fs  
4Gs  
BC860BW  
BC860CW  
* Not qualified according AEC Q101  
2011-09-19  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BL99Z TI

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500mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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