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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857B-7
BC857B-7 PDF预览

BC857B-7

更新时间： 2024-09-30 22:54:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC857B-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：220JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

BC857B-7 数据手册

 浏览型号BC857B-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857B-7的Datasheet PDF文件第3页 
BC856A - BC858C  
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
Features  
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Complementary NPN Types Available  
(BC846-BC848)  
SOT-23  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.85  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.80  
8°  
C
·
For Switching and AF Amplifier Applications  
B
B
C
Mechanical Data  
·
·
C
TOP VIEW  
B
E
Case: SOT-23, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Pin Connections: See Diagram  
Marking Codes (See Table Below & Diagram  
on Page 3)  
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Approx. Weight: 0.008 grams  
D
D
G
E
E
H
G
H
·
·
K
M
J
J
L
K
·
·
L
M
·
·
a
All Dimensions in mm  
Marking Code (Note 2)  
Type  
Marking  
3A, K3A  
Type  
Marking  
3G, K3G  
BC856A  
BC856B  
BC857A  
BC857B  
BC857C  
BC858A  
3B, K3B  
3J, K3J, K3A, K3V  
3E, K3V, K3A  
3F, K3W, K3B  
BC858B 3K, K3K, K3B, K3W  
BC858C 3L, K3L, K3G  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
-80  
-50  
-30  
Collector-Base Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCBO  
V
-65  
-45  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCEO  
V
VEBO  
IC  
-5.0  
-100  
V
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
ICM  
Peak Collector Current  
-200  
IEM  
Peak Emitter Current  
-200  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
300  
RqJA  
Tj, TSTG  
417  
-65 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856.  
DS11207 Rev. 12 - 2  
1 of 3  
BC856A-BC858C  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857B-7-F DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC857-B-AE3-6-R UTC

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 		Transistor
BC857-B-AE3-R UTC

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BC857-B-AL3-R UTC

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