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BC857B

更新时间： 2024-02-25 06:19:19

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TSC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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BC857B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857B 数据手册

BC856A,B

BC857A,B,C

RoHS

COMPLIANCE

BC858A,B,C

0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

Features

Ideally suited for automatic insertion

Epitaxial planar die construction

For switching, AF driver and amplifier

applications

Complementary PNP type available(BC846)

Qualified to AEC-Q101 standards for high

reliability

Mechanical Data

Case: SOT-23, Molded plastic

Case material: molded plastic. UL flammability

classification rating 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,

Method 208

Lead free plating

Marking & Polarity: See diagram

Weight: 0.008 gram (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings T =25 ^oC unless otherwise specified

Type Number

Symbol BC856 BC857 BC858 Units

Collector-base breakdown voltage

I_C=10uA, I_E=0

V_CBO

V_CEO

I_CM

-80

-65

-50

-45

-0.1

0.2

-5

-30

Collector-emitter breakdown voltage I_C=10mA, I_B=0

Collector current

Power dissipation (Tamb=25^oC) (Note 1)

P_CM

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10uA, I_C=0

V_CB=-70V I_E=0

V_EBO

-0.1

I_CBO

V_CB=-45V I_E=0

-0.1

V_CB=-25V I_E=0

V_CE=-60V I_B=0

V_CE=-40V I_B=0

-0.1

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=-25V I_B=0

Emitter cut-off current

V_EB=-5V I_C=0

I_EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

-0.1

-0.5

-1.1

Collector-emitter saturation voltage I_C=-100mA, I_B=-5mA

Base-emitter saturation voltage I_C=-100mA, I_B=-5mA

Transition frequency V_CE=-5V I_C=-10mA f=100MHz

Operating and Storage Temperature Range

100

MHz

-55 to + 150

^oC

T_J, T_STG

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

DC current gain BC846A,847A,848A

BC846B,847B,848B V_CE=-5V I_C=-2mA

BC847C / BC848C

125

220

420

250

475

800

H_FE(1)

DEVICE MARKING

BC856A=3A, BC856B=3B, BC857A=3E, BC857B=3F, BC857C=3G,BC858A=3J, BC858B=3K, BC858C=3L

Note 1: Transistor mounted on an FR4 Printed-circuit board.

Version: B07

12 3

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与BC857B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857B,215	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
BC857B,235	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
BC857B,315	NXP	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
BC857B/DG/B3,215	ETC	获取价格	TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC857B/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC857B/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC857B/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SMD KLEINSIGNAL UNIVERSAL
BC857B/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3
BC857B/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3
BC857B_11	ROHM	获取价格	PNP small signal transistor

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