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BC856_08

更新时间： 2022-10-15 03:47:40

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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PNP Silicon AF Transistor

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BC856_08 数据手册

BC856...-BC860...

Transition frequency f = ƒ(I )

Collector-base capacitance C = ƒ(V

)

= 5 V

Emitter-base capacitance C = ƒ(V )

eb EB

EHP00378

10³

MHz

f _T

10²

CEB

CCB

10¹

10^-1

10 ⁰

10¹

10 ²

(V )

Ι _C

CB EB

Total power dissipation P = ƒ(T )

tot S

tot

BC856-BC860

BC857BF, BC858BF

360

300

270

240

210

180

150

120

250

225

200

175

150

125

100

°C

15 30 45 60 75 90 105 120

150

15 30 45 60 75 90 105 120

150

°C

2008-04-29

1...4 5 678 9 10...14

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