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BC856_08

更新时间： 2022-10-15 03:47:40

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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PNP Silicon AF Transistor

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BC856_08 数据手册

BC856...-BC860...

DC current gain h = ƒ(I )

Collector-emitter saturation voltage

= 1 V

I = ƒ(V

), h = 20

CEsat FE

EHP00382

EHP00380

10³

10 ²

100 C

25 C

Ι _C

h _FE

100 C

25 C

-50 C

-50

10²

10¹

10⁰

10¹

10⁰

10 ^-1

10^-2

5 10 ^-1

5 10 ⁰

5 10¹

10 ²

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

Ι _C

V_CEsat

Base-emitter saturation voltage

Collector cutoff current I

= ƒ(T )

CBO A

I = ƒ(V

), h = 20

= 30 V

BEsat

CBO

EHP00379

EHP00381

10²

10 ⁴

Ι _C

Ι_CB0

10 ³

100

-50

10¹

max

10 ²

typ

10 ¹

10⁰

10 ^-1

10^-1

100

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

T_A

V_BEsat

2008-04-29

1...3 4 567 8 9...14

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