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BC847BW

更新时间: 2024-10-27 22:53:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体驱动器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

BC847BW 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.01
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

BC847BW 数据手册

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BC 846W ... BC 850W  
h parameter h  
e
= f (IC) normalized  
h parameter h  
e
= f (VCE) normalized  
VCE = 5 V  
I
C
= 2 mA  
Noise figure F = f (VCE  
)
Noise figure F = f (f)  
= 0.2 mA, VCE = 5 V, R = 2 kΩ  
IC  
= 0.2 mA, R = 2 k, f = 1 kHz  
S
I
C
S
Semiconductor Group  
7

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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BC847BW/DG,115 NXP

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45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors; Package: SOT323 (SC-70); Container: Tape ree
BC847BW115 NXP

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45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847BW-13 DIODES

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