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BC847BW-Q

更新时间： 2022-02-26 12:33:14

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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2页	126K
描述
SMD General Purpose NPN Transistors

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BC847BW-Q 数据手册

BC846W ... BC849W

SMD General Purpose NPN Transistors

SMD Universal-NPN-Transistoren

I_C

= 100 mA

V_CEO= 30...65 V

P_tot= 200 mW

h_FE~ 180/290/520

T_jmax= 150°C

Version 2019-01-11

Typical Applications

Signal processing,

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung,

SOT-323

Switching, Amplification

Commercial grade

Schalten, Verstärken

Standardausführung

Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ¹)

Suffix -Q: AEC-Q101 konform ¹)

Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ¹) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ¹)

2^±0.1

1^±0.1

Features

General Purpose

Three current gain groups

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals ¹)

Besonderheiten

Universell anwendbar

Drei Stromverstärkungsklassen

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien ¹

0.3

Type

Code

Mechanical Data ¹)

Mechanische Daten ¹)

1.3

Taped and reeled

3000 / 7“

0.01 g

Gegurtet auf Rolle

1 = B

2 = E

3 = C

Weight approx.

Gewicht ca.

Case material

UL 94V-0

260°C/10s

MSL = 1

Gehäusematerial

Dimensions - Maße [mm]

Solder & assembly conditions

Löt- und Einbaubedingungen

Type

Code

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC846AW

BC847AW/-Q 1E BC847BW/-Q 1F

1A BC846BW/-AQ 1B

BC847CW/-Q 1G

BC856W ... BC859W

BC848AW

BC848BW

BC849BW

BC848CW

BC849CW

Maximum ratings ²)

Grenzwerte ²)

BC846W/ BC847W/ BC848W

-AQ

65 V

80 V

-Q

BC849W

Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

45 V

50 V

30 V

6 V

5 V

200 mW ³)

100 mA

200 mA

Collector current – Kollektorstrom

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

I_CM

I_BM

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

- I_EM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

T_A= 25°C unless otherwise specified – T_A= 25°C wenn nicht anders angegeben

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

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与BC847BW-Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC847BWQ-13-F	DIODES	NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
BC847BWR	CENTRAL	45V,100mA,275mW Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier	获取价格
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