BC818-16

更新时间： 2024-10-29 22:48:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC818-16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.96	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC818-16 数据手册

BC 817 / BC 818

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 817

BC 818

25 V

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted V_CES

E open

C open

V_CE0

45 V

50 V

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

310 mW ¹)

800 mA

1000 mA

200 mA

1000 mA

150ꢀC

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

V_CE= 1 V, I_C= 500 mA

h_FE

100

160

250

–

160

250

400

600

–

250

400

600

BC817

BC818

Group -16

Group -25

Group -40

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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BC818-16 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC818-16	INFINEON	类似代替	NPN Silicon AF Transistors
BCW71T116	ROHM	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC2618	HITACHI	功能相似	Silicon NPN Epitaxial

与BC818-16相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC818-16/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-23
BC818-16/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-23
BC818-16D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23
BC818-16L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16LT1	MOTOROLA	获取价格	Transistor
BC81816MTF	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC818-16S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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