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BC818-16W PDF预览

BC818-16W

更新时间： 2025-08-04 20:30:35
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC IOT开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BC818-16W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC818-16W 数据手册

 浏览型号BC818-16W的Datasheet PDF文件第2页 
BC 817W / BC 818W  
NPN  
General Purpose Transistors  
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors  
NPN  
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage  
Power dissipation – Verlustleistung  
225 mW  
SOT-323  
±0.1  
±0.1  
Plastic case  
2
1
0.3  
Kunststoffgehäuse  
3
Type  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.01 g  
Code  
1
2
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
1.3  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
Dimensions / Maße in mm  
1 = B 2 = E 3 = C  
Maximum ratings (TA = 25ꢀC)  
Grenzwerte (TA = 25ꢀC)  
BC 817W  
BC 818W  
25 V  
Collector-Emitter-voltage  
Collector-Emitter-voltage  
Collector-Base-voltage  
Emitter-Base-voltage  
Power dissipation – Verlustleistung  
Collector current – Kollektorstrom (DC)  
Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom  
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom  
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
B open  
B shorted VCES  
E open  
C open  
VCE0  
45 V  
50 V  
50 V  
30 V  
30 V  
VCB0  
VEB0  
Ptot  
IC  
ICM  
IBM  
- IEM  
Tj  
5 V  
225 mW 1)  
500 mA  
1000 mA  
200 mA  
1000 mA  
150ꢀC  
TS  
- 65…+ 150ꢀC  
Characteristics, Tj = 25ꢀC  
Kennwerte, Tj = 25ꢀC  
Min.  
Typ.  
Max.  
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis  
VCE = 1 V, IC = 100 mA  
VCE = 1 V, IC = 500 mA  
hFE  
hFE  
100  
40  
–
–
600  
–
BC817W  
BC818W  
Group -16W hFE  
Group -25W hFE  
Group -40W hFE  
100  
160  
250  
160  
250  
400  
250  
400  
600  
VCE = 1 V, IC = 100 mA  
1
)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
8
01.11.2003  
12

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与BC818-16W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC818-16W,115 NXP

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16W,135 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-16W-E6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16W-E6433 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16W-TAPE-13 NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-16W-TAPE-7 NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-16W/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-16WT/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-25 INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon AF Transistors
BC818-25 DIOTEC

获取价格

 		Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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