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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC818-16-TP-HF
BC818-16-TP-HF PDF预览

BC818-16-TP-HF

更新时间： 2024-11-25 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 233K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BC818-16-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BC818-16-TP-HF 数据手册

 浏览型号BC818-16-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC818-16-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
BC818-16  
BC818-25  
BC818-40  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN Silicon  
General Purpose  
Transistors  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Capable of 0.3Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 0.5A  
•
•
•
•
·
Collector-base Voltage 30V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
SOT-23  
Mechanical Data  
A
D
•
•
•
•
Case: SOT-23 Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
3
C
B
C
Device Marking:  
BC818-16  
BC818-25  
BC818-40  
6E  
6F  
6G  
E
B
F
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
H
G
J
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, I C=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=25Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
25  
30  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
K
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
---  
Vdc  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
---  
1.78  
.45  
F
(VEB=4.0Vdc, I C=0)  
G
H
J
.0005  
.035  
.003  
.015  
.013  
.89  
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
.085  
.37  
DC Current Gain  
K
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
BC818-16  
BC818-25  
BC818-40  
DC Current Gain  
(IC=300mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc,IB=50mAdc)  
100  
160  
250  
60  
---  
---  
---  
250  
400  
630  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
---  
.035  
.900  
0.7  
1.2  
1.2  
.079  
2.000  
inches  
mm  
Base-Emitter Voltage  
(VCE=1Vdc,IC=500mAdc)  
.037  
.950  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
.037  
.950  
fT  
Transition frequency  
170  
---  
---  
MHz  
(VCE=5.0V, f=100MHz, I C=50mA)  
Collector output capacitance  
(VCB=10V, f=1MHz)  
Cob  
6
pF  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与BC818-16-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC818-16TRL NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-16TRL13 YAGEO

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16W INFINEON

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 		NPN Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current
BC818-16W NXP

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 		NPN general purpose transistor
BC818-16W DIOTEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC818-16W PHILIPS

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 		Transistor,
BC818-16W,115 NXP

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC818-16W,135 NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-16W/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC818-16W-E6327 INFINEON

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