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BC818-16 PDF预览

BC818-16

更新时间： 2024-11-21 20:33:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 332K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BC818-16 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.09最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC818-16 数据手册

 浏览型号BC818-16的Datasheet PDF文件第2页 
BC817 SERIES  
BC818 SERIES  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT SILICON  
NPN TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC817 and BC818  
series devices are silicon NPN transistors, epoxy  
molded in a surface mount package, designed for  
general purpose switching and amplifier applications.  
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON  
FOLLOWING PAGE  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
BC817  
50  
BC818  
30  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
45  
25  
V
V
5.0  
500  
1.0  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
I
mA  
A
C
I
CM  
I
200  
350  
mA  
mW  
°C  
BM  
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=20V  
100  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=20V, T =150°C  
J
=5.0V  
5.0  
μA  
nA  
V
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =10μA (BC817)  
50  
30  
45  
25  
5.0  
CES  
CES  
C
I =10μA (BC818)  
V
C
I =10mA (BC817)  
V
CEO  
C
I =10mA (BC818)  
V
CEO  
C
I =1.0μA  
V
EBO  
E
V
V
I =500mA, I =50mA  
0.7  
1.2  
V
CE(SAT)  
BE(ON)  
C
B
V
=1.0V, I =500mA  
V
CE  
CE  
CB  
C
f
V
V
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
10  
ob  
E
BC817  
BC818  
BC817-25  
BC818-25  
MIN MAX  
BC817-40  
BC818-40  
MIN MAX  
MIN  
MAX  
h
h
V
V
=1.0V, I =100mA  
100  
600  
100  
250  
160  
400  
250  
600  
FE  
FE  
CE  
CE  
C
=1.0V, I =500mA  
40  
-
40  
-
40  
-
40  
-
C
R1 (11-November 2013)  
12

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