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BC817-40L

更新时间： 2024-01-15 00:53:47

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	178K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon Collector â Emitter Voltage VCEO 45

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BC817-40L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC817-40L 数据手册

BC846ALT1G Series, SBC846ALT1G Series

BC846A, BC847A, BC848A, SBC846A

300

200

0.18

150°C

I /I = 20

= 1 V

150°C

−55°C

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

25°C

−55°C

100

0.02

0.001

0.01

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

I , COLLECTOR CURRENT (A)

Figure 1. DC Current Gain vs. Collector

Current

Figure 2. Collector Emitter Saturation Voltage

vs. Collector Current

1.0

1.2

1.1

1.0

0.9

−55°C

= 5 V

I /I = 20

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

25°C

−55°C

25°C

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

150°C

0.3

0.2

0.3

0.2

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

I , COLLECTOR CURRENT (A)

Figure 3. Base Emitter Saturation Voltage vs.

Collector Current

Figure 4. Base Emitter Voltage vs. Collector

Current

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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