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BC558BRLRA

更新时间： 2024-11-04 20:41:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
25页 310K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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BC558BRLRA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.37最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：360 MHzBase Number Matches：1

BC558BRLRA 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol BC556 BC557 BC558  
Unit  
Vdc  
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–65  
–80  
–45  
–50  
–30  
–30  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
Vdc  
–5.0  
–100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –2.0 mAdc, I = 0)  
V
V
V
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
BC556  
BC557  
BC558  
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc)  
C
BC556  
BC557  
BC558  
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
BC556  
BC557  
BC558  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
E
C
Collector–Emitter Leakage Current  
I
CES  
(V  
CES  
(V  
CES  
= –40 V)  
= –20 V)  
BC556  
BC557  
BC558  
BC556  
BC557  
BC558  
—
—
—
—
—
—
–2.0  
–2.0  
–2.0  
—
—
—
–100  
–100  
–100  
–4.0  
–4.0  
–4.0  
nA  
(V  
CES  
= –20 V, T = 125°C)  
µA  
A
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–123  
1234567...25

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与BC558BRLRA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC558BRLRB MOTOROLA

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 		100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558BRLRE MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC558BRLRE ONSEMI

获取价格

 		100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN
BC558BRLRF MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558BRLRM MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
BC558BRLRM ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN, BIP Gen
BC558BRLRP MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558B-T/R NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC558-B-T92-B UTC

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 		Transistor
BC558-B-T92-K UTC

获取价格

 		Transistor

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