BC558C

更新时间： 2024-11-03 22:48:15

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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2页	89K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC558C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.15	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	420	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC558C 数据手册

BC 556 ... BC 559

PNP

General Purpose Transistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 556

65 V

80 V

BC 557

45 V

50 V

BC 558/559

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

- I_C

T_j

30 V

5 V

500 mW ¹)

100 mA

150ꢀC

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

110...220

200...460

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Stromverstärkung

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausg.-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢀ

18 < 30 ꢁS

3.2...8.5 kꢀ

30 < 60 ꢁS

6...15 kꢀ

60 < 110 ꢁS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspg.

- I_C= 100 mA, - I_B= 5 mA -V_CEsat

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

300 mV

–

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

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BC558C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PN4250A	ONSEMI	功能相似	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC1959	TOSHIBA	功能相似	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER SWITCHING APPLICATIONS)

与BC558C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC558-C	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC558C(AMMOPAK)	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC558C(BOX)	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC558C/D10Z	TI	获取价格	30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558C/D26Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558C/D27Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558C/D74Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558C/D75Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558C/E6	VISHAY	获取价格	Transistor
BC558C/E7	VISHAY	获取价格	Transistor

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