BC558C-G

更新时间： 2024-11-28 13:00:31

品牌	Logo	应用领域
WEITRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	100K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC558C-G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

BC558C-G 数据手册

BC556 ... BC559

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

Version 2006-05-31

Power dissipation – Verlustleistung

Plastic case

Kunststoffgehäuse

500 mW

TO-92

(10D3)

C B E

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC556

80 V

BC557

50 V

BC558/559

30 V

Collector-Emitter-voltage

E-B short - V_CES

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EB0

P_tot

65 V

45 V

30 V

Collector-Base-voltage

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

- I_C

- I_CM

- I_BM

I_EM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 µA

h_FE

typ. 90

110 ... 220

typ. 120

typ. 150

200 ... 450

typ. 200

typ. 270

420 ... 800

typ. 400

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

- V_CE= 5 V, - I_C= 100 mA

h-Parameters at/bei - V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

h_ie

1.6 ... 4.5 kΩ 3.2 ...8.5 kΩ

6 ... 15 kΩ

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_oe

h_re

18 < 30 µS

30 < 60 µS

60 < 110 µS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

typ. 1.5*10-4

typ. 2*10-4

typ. 3*10-4

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

中文翻译

下载PDF

与BC558C-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC558CJ05Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC558CJ18Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC558CRL1	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
BC558C-T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC558-C-T92-B	UTC	获取价格	Transistor
BC558-C-T92-K	UTC	获取价格	Transistor
BC558CTA	ROCHESTER	获取价格	100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
BC558C-TAP	VISHAY	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC558CZL1	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
BC558CZL1G	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors PNP Silicon

与BC558C-G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

48
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC558C-G

BC558C-G 技术参数

BC558C-G 数据手册

与BC558C-G相关器件

与BC558C-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC558C-G

BC558C-G 技术参数

BC558C-G 数据手册

与BC558C-G相关器件

与BC558C-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？