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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC557A
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BC557A

更新时间： 2024-09-13 22:48:15
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安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
Amplifier Transistors(PNP Silicon)

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BC557A 数据手册

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by BC556/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
BC  
BC  
557  
BC  
3
556  
–65  
–80  
558  
–30  
–30  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–45  
–50  
Vdc  
–5.0  
–100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –2.0 mAdc, I = 0)  
V
V
V
V
(BR)CEO  
BC556  
BC557  
BC558  
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc)  
C
V
(BR)CBO  
BC556  
BC557  
BC558  
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
V
(BR)EBO  
(I = –100 Adc, I = 0)  
BC556  
BC557  
BC558  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
E
C
Collector–Emitter Leakage Current  
I
CES  
(V  
CES  
(V  
CES  
= –40 V)  
= –20 V)  
BC556  
BC557  
BC558  
BC556  
BC557  
BC558  
—
—
—
—
—
—
–2.0  
–2.0  
–2.0  
—
—
—
–100  
–100  
–100  
–4.0  
–4.0  
–4.0  
nA  
(V  
CES  
= –20 V, T = 125°C)  
µA  
A
Motorola, Inc. 1996  
123456

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BC557A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC557ATA ONSEMI

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