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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC547B
BC547B PDF预览

BC547B

更新时间： 2024-09-19 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
Amplifier Transistors(NPN Silicon)

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BC547B 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-226, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.99Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：651904
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO?92 (TO?226) 1 WATT CASE 29?10 ISSUE A
Samacsys Released Date：2018-08-22 09:41:20Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

BC547B 数据手册

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by BC546/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC  
BC  
BC  
546  
547  
548  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mA, I = 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
V
65  
45  
30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
C
BC546  
BC547  
BC548  
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
BC546  
BC547  
BC548  
V
6.0  
6.0  
6.0  
—
—
—
—
—
—
(BR)EBO  
(I = 10 A, I = 0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 70 V, V  
= 50 V, V  
= 35 V, V  
= 0)  
= 0)  
= 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
BC546/547/548  
—
—
—
—
0.2  
0.2  
0.2  
—
15  
15  
15  
4.0  
nA  
BE  
BE  
BE  
= 30 V, T = 125°C)  
µA  
A
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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BC547B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC547BG ONSEMI

类似代替

 Amplifier Transistors NPN Silicon
BC547BRL1G ONSEMI

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BC547BZL1G ONSEMI

类似代替

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与BC547B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC547B(AMMOPAK) DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC547B(BOX) DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC547B/D26Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547B/D27Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547B/D74Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547B/D75Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547B/E6 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC547B/E7 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC547B/L34Z FAIRCHILD

获取价格

 		500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547B/RR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR BIPOLAR

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