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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC546BRLRA
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BC546BRLRA

更新时间： 2024-09-10 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 196K
描述
100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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BC546BRLRA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.34
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：4.5 pF集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：1.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BC546BRLRA 数据手册

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by BC546/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC  
BC  
BC  
546  
547  
548  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mA, I = 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
V
65  
45  
30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
C
BC546  
BC547  
BC548  
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
BC546  
BC547  
BC548  
V
6.0  
6.0  
6.0  
—
—
—
—
—
—
(BR)EBO  
(I = 10 A, I = 0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 70 V, V  
= 50 V, V  
= 35 V, V  
= 0)  
= 0)  
= 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
BC546/547/548  
—
—
—
—
0.2  
0.2  
0.2  
—
15  
15  
15  
4.0  
nA  
BE  
BE  
BE  
= 30 V, T = 125°C)  
µA  
A
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC546BRLRB MOTOROLA

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 		100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546BRLRE MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC546BRLRF MOTOROLA

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 		100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546BRLRM MOTOROLA

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 		100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546BRLRP MOTOROLA

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 		100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546BRLRP ONSEMI

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 		100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546BT/R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC546BTA FAIRCHILD

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 		Switching and Applications
BC546BTA ONSEMI

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 		Transistor NPN Silicon Plastic
BC546BTA_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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