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BC327RLRM

更新时间： 2024-01-13 15:47:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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BC327RLRM 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.58
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

BC327RLRM 数据手册

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BC327, BC327-16,  
BC327-25, BC327-40  
Amplifier Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• These are Pb−Free Devices*  
COLLECTOR  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
BASE  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
−45  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
3
V
−50  
Vdc  
CES  
EBO  
EMITTER  
V
−5.0  
−800  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above T = 25°C  
A
TO−92  
CASE 29  
STYLE 17  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
1.5  
12  
W
A
D
Derate above T = 25°C  
mW/°C  
A
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
1
1
2
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
3
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JA  
R
83.3  
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MARKING DIAGRAM  
BC  
xxx  
AYWW G  
G
BCxxx= Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking, and shipping information in  
the package dimensions section on page 4 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
September, 2011 − Rev. 6  
BC327/D  
12345

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与BC327RLRM相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC327RLRP ONSEMI 800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

获取价格
BC327-T/R NXP TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,

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BC327TA FAIRCHILD Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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BC327TAR FAIRCHILD Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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BC327-XBK DIOTEC General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

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