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BAW56

更新时间： 2024-01-26 22:52:58
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安森美 - ONSEMI 二极管开关
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4页 86K
描述
Monolithic Dual Switching Diode Common Anode

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BAW56 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.58配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.075 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAW56 数据手册

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by BAW56LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
CATHODE  
1
ANODE  
3
2
CATHODE  
3
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
1
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
70  
CASE 318–08, STYLE 12  
SOT–23 (TO–236AB)  
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
FM(surge)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BAW56LT1 = A1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
V
(BR)  
70  
—
Vdc  
(I  
(BR)  
= 100 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 25 Vdc, T = 150°C)  
I
R
µAdc  
—
—
—
30  
2.5  
50  
R
J
(V = 70 Vdc)  
R
(V = 70 Vdc, T = 150°C)  
R
J
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
V
—
2.0  
pF  
D
Forward Voltage  
mVdc  
F
(I = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
715  
855  
1000  
1250  
F
(I = 10 mAdc)  
F
(I = 50 mAdc)  
F
(I = 150 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
—
6.0  
ns  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) (Figure 1) R = 100 Ω  
L
F
R
R(REC)  
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4  
0.3  
0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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BAW56 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAW56LT3G ONSEMI

类似代替

 Dual Switching Diode Common Anode
BAW56LT1G ONSEMI

类似代替

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BAW56-7-F DIODES

功能相似

 DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAW56(LS) DIODES

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 		SwitchingDiodes
BAW56,215 ETC

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 		DIODE ARRAY GP 90V 215MA SOT23
BAW56,235 NXP

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 		BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TO-236 3-Pin
BAW56/E8 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 0.25A, 70V V(RRM),
BAW56/E9 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.25A, 70V V(RRM),
BAW56/T1 ETC

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 		DIODE KLEINSIGNAL SMD
BAW56/T3 NXP

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 		0.215A, 90V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN
BAW56_ DIODES

获取价格

 		DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAW56_01 DIODES

获取价格

 		Small Signal Diode
BAW56_03 NXP

获取价格

 		High-speed double diode

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