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BAW56/E9

更新时间： 2024-01-02 05:37:24

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	97K
描述
Rectifier Diode, 0.25A, 70V V(RRM),

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BAW56/E9 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.31
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.715 V
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	2 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

BAW56/E9 数据手册

BAW56

Vishay Semiconductors

VISHAY

Dual Switching Diode

Features

• Silicon Epitaxial Planar Diode

• Fast switching dual diode with common anode

• This diode is also available in other configurations

including: a single with type designation BAL99, a

dual anode to cathode with type designation

BAV99, and a dual common cathode with type

designation BAV70.

Mechanical Data

Case: SOT-23 Plastic Package

17033

Weight: approx. 8 mg

Packaging Codes/Options:

E8 / 10k per 13 " reel (8 mm tape), 30k/box

E9 / 3k per 7 " reel (8 mm tape), 30k/box

Marking: JD

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

V , V

Value

Unit

Repetitive peak reverse voltage = Working

peak reverse voltage = DC Blocking voltage

Forward current ( continous)

250

2.0

1.0

0.5

Non repetitive peak forward current

t = 1

FSM

t = 1 ms

t = 1 s

Power dissipation

Diss

350

Device on fiberglass substrate, see layout

Maximum Thermal Resistance

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

Value

Unit

Thermal resistance junction to

ambiant air

430

°C/W

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

- 65 to + 150

Device on fiberglass substrate, see layout

Electrical Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

Min

Typ.

Max

Unit

Forward voltage

I = 1 mA

0.715

I = 10 mA

0.855

1.0

I = 50 mA

I = 150 mA

1.25

Document Number 85549

Rev. 5, 10-Jul-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAW56/T1	ETC	获取价格	DIODE KLEINSIGNAL SMD
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