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BAW56 PDF预览

BAW56

更新时间： 2024-02-06 01:06:53
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上华 - COMCHIP 二极管开关
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2页 101K
描述
Surface Mount Switching Diode

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BAW56 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.58配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.075 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAW56 数据手册

 浏览型号BAW56的Datasheet PDF文件第2页 
Surface Mount Switching Diode  
COMCHIP  
www.comchip.com.tw  
Voltage: 70 Volts  
Current: 215mA  
BAV99 Thru BAW56  
Features  
Fast Switching Speed  
Surface Mount PackageIdeally Suited  
for Automatic Insertio  
For General PurposeSwitching Applications  
High Conductance  
SOT-23  
.119 (3.0)  
Mechanical data  
Case: SOT -23, Plastic  
.110 (2.8)  
.020 (0.5)  
Top View  
Approx. Weight: 0.008 gram  
3
This diodes isalso available inother  
configurations including adual common  
cathode with typedesignation BAV70, a dual  
common anodes withtype designation  
BAW56 and single chip inside withtype  
Designation BAL99  
1
2
BAV99  
BAL99  
.037(0.95)  
.037(0.95)  
ANODE  
CATHODE  
1
1
2
3
3
ANODE  
ANODE  
2
CATHODE  
CATHODE  
CATHODE  
ANODE  
.103 (2.6)  
.086 (2.2)  
CATHODE  
ANODE  
1
1
.020 (0.5) .020 (0.5)  
3
3
CATHODE  
ANODE  
2
2
Dimensions in inches (millimeters)  
ANODE  
CATHODE  
BAV70  
Maximum Ratings  
BAW56  
Rating  
Symbol  
VR  
Value  
70  
215  
500  
Units  
VDC  
mAdc  
mAdc  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
IF  
I
FM(surge)  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
225  
1.8  
556  
300  
Units  
mW  
mW/°C  
°C/W  
mW  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
TA = 25°C  
PD  
RșJA  
PD  
2.4  
417  
–55 to +150  
RșJA  
TJ, Tst  
g
Electrical Characterics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic (OFF CHARACTERISTICS)  
Symbol  
V(BR)  
Max  
-
Units  
Vdc  
Min  
70  
Reverse Breakdown Voltage ( I(BR) = 100 uAdc )  
Reverse Voltage Leakage Current  
VR = 25 Vdc, TJ = 150°C  
30  
2.5  
50  
-
-
-
IR  
V
V
R = 70 Vdc  
R = 70 Vdc, TJ = 150°C  
uAdc  
pF  
CD  
Diode Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz))  
Forward Voltage F = 1.0 mAdc  
1.5  
715  
855  
1000  
1250  
I
-
-
-
-
I
I
I
F = 10 mAdc  
F = 50 mAdc  
F = 150 mAdc  
VF  
Trr  
mV  
nS  
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0mAdc) RL = 100ȍ  
6.0  
1.FR–5 = 1.0 X 0.75X 0.062 in. 2.Aluminum = 0.4X 0.3X 0.024 in. 99.5% aluminum.  
Page 1  
MDS0210001A  
12

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与BAW56相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAW56(LS) DIODES

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 		SwitchingDiodes
BAW56,215 ETC

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 		DIODE ARRAY GP 90V 215MA SOT23
BAW56,235 NXP

获取价格

 		BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TO-236 3-Pin
BAW56/E8 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.25A, 70V V(RRM),
BAW56/E9 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.25A, 70V V(RRM),
BAW56/T1 ETC

获取价格

 		DIODE KLEINSIGNAL SMD
BAW56/T3 NXP

获取价格

 		0.215A, 90V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN
BAW56_ DIODES

获取价格

 		DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAW56_01 DIODES

获取价格

 		Small Signal Diode
BAW56_03 NXP

获取价格

 		High-speed double diode

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