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BAW56 PDF预览

BAW56

更新时间： 2024-02-26 02:41:50
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SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 237K
描述
Dual Chips Common Anode

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BAW56 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.58配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.075 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAW56 数据手册

 浏览型号BAW56的Datasheet PDF文件第2页 
BAW56  
Dual Chips Common Anode  
Surface Mount Switching Diode  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
A
L
·
·
Fast Switching Speed  
Surface Mount Package Ideally Suited for  
Automatic Insertion  
3
S
Top View  
B
1
2
·
·
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
V
G
3
CATHODE  
1
ANODE  
3
C
1
2
2
H
J
D
CATHODE  
K
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
Reverse Voltage  
V
R
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
Forward Current  
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
FM(surge)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
K
L
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
S
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
V
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
All Dimension in mm  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BAW56 = A1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
V
(BR)  
70  
—
Vdc  
(I  
(BR)  
= 100 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 25 Vdc, T = 150°C)  
I
R
µAdc  
—
—
—
30  
2.5  
50  
R
J
(V = 70 Vdc)  
R
(V = 70 Vdc, T = 150°C)  
R
J
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
V
—
2.0  
pF  
D
Forward Voltage  
mVdc  
F
(I = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
715  
855  
1000  
1250  
F
(I = 10 mAdc)  
F
(I = 50 mAdc)  
F
(I = 150 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
—
6.0  
ns  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) (Figure 1) R = 100 Ω  
L
F
R
R(REC)  
1. FR–5 = 1.0 X 0.75 X 0.062 in. 2.Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in. 99.5% alumina.  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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与BAW56相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAW56(LS) DIODES

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 		SwitchingDiodes
BAW56,215 ETC

获取价格

 		DIODE ARRAY GP 90V 215MA SOT23
BAW56,235 NXP

获取价格

 		BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TO-236 3-Pin
BAW56/E8 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.25A, 70V V(RRM),
BAW56/E9 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 0.25A, 70V V(RRM),
BAW56/T1 ETC

获取价格

 		DIODE KLEINSIGNAL SMD
BAW56/T3 NXP

获取价格

 		0.215A, 90V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN
BAW56_ DIODES

获取价格

 		DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAW56_01 DIODES

获取价格

 		Small Signal Diode
BAW56_03 NXP

获取价格

 		High-speed double diode

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